车载充电机与 DC-DC
OBC PFC 级 · 关键器件选型
解决的工程问题
PFC 前端经车端接口直接接交流电网：需达到规定效率与功率因数，承受浪涌与电网瞬态，并在不加大滤波体积的前提下满足 EMI 限值。
系统框图
输入保护 TVS / 浪涌保护
主控 数字控制器 / MCU
驱动 隔离栅极驱动
功率器件 SiC MOSFET / IGBT
支路
信号检测 电流检测 / 隔离放大器
模块列表（文字版）
- 输入保护 TVS / 浪涌保护
- 主控 数字控制器 / MCU
- 驱动 隔离栅极驱动
- 功率器件 SiC MOSFET / IGBT
- 信号检测 电流检测 / 隔离放大器
输入保护
TVS / 浪涌保护
为什么需要该器件： 交流侧浪涌与负载切换直接出现在 PFC 输入端。
关键参数如何选择： 核对浪涌电流能力与同压敏电阻/气体放电管级的钳位配合。
驰顺可提供的品牌： WAYONLittelfuseonsemi
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1SMB30CAT3G In stock | onsemi | 二极管-TVS瞬态抑制(TVS) | SMB | 已通过 AEC-Q101 | -55 °C ~ +150 °C | vrwm: 30 V · ppp: 600 W · direction: Uni-directional | 规格书 ↗ | |
| 1.5KE24CA-TP | MCC | Transient Voltage Suppressor | — | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 1.5KE250A-TP In stock | MCC | TVS瞬态抑制二极管 | DO-201AE | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 1.5KE480A | WAYON | Transient Voltage Suppressor | — | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 1.5SMC33CA | LITTLEFUSE | Transient Voltage Suppressor | — | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 1.5SMC6.8CA In stock | Littelfuse | 二极管-TVS | SMC | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 |
主控
数字控制器 / MCU
为什么需要该器件： 实现 PFC 控制环路、电网同步与保护时序。
关键参数如何选择： 关注控制律执行速度与同 PWM 载波同步的 ADC 采样。
驰顺可提供的品牌： TINXPInfineonMicrochip
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MKE04Z8VWJ4 In stock | NXP | MCU微控制器 | SOIC-20 | 已通过 AEC-Q100 Grade 1 | -40 °C ~ +125 °C | core: Arm Cortex-M0+ · freq: 48 MHz · flash: 8 KB | 规格书 ↗ | |
| ATMEGA32A-AU In stock | Microchip | MCU微控制器 | TQFP-44 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| ATSAM4S2AA-MU In stock | Microchip | MCU微控制器 | QFN-48 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| BS83A01C In stock | Holtek | MCU微控制器 | SOT-23-6 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| HT66F002/MSOP10 In stock | Holtek | MCU微控制器 | MSOP-10 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| MM32F0010A1N In stock | MindMotion | MCU微控制器(超值型) | QFN-20 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ |
信号检测
电流检测 / 隔离放大器
为什么需要该器件： 为控制环路与保护提供电网电流与母线电压反馈。
关键参数如何选择： 隔离工作电压、CMTI 与带宽是决定性参数。
驰顺可提供的品牌： TIADIonsemi
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| INA199B2QDCKRQ1 In stock | TI | 放大器与线性 | SOT-SC70-6 | 已通过 AEC-Q100 Grade 1 | -40 °C ~ +125 °C | supply: 2.7 ~ 26 V · channel: 1 · bw: 105 kHz | 规格书 ↗ | |
| LM2901MX/NOPB In stock | TI | 放大器与线性 | SOIC-14 | 已通过 AEC-Q100 Grade 1 | -40 °C ~ +125 °C | channel: 4 · bw: 1.3 MHz · vos: ±2 mV | 规格书 ↗ | |
| ACE358MTR-E1 In stock | ACE | 运算放大器 | SOP-8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| AD822ARZ-REEL7 In stock | ADI | 运算放大器 | SOIC-8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| LM258DR2G In stock | onsemi | 放大器-运算放大器(Op-Amp) | SOIC-8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| LM2903XK In stock | Runic | 比较器 | SOT-23-5 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ |
驱动
隔离栅极驱动
为什么需要该器件： 驱动参考点悬空数百伏的高边开关。
关键参数如何选择： CMTI、隔离等级与通道间传播延迟匹配。
驰顺可提供的品牌： onsemiInfineonSemimentNSIC
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FAN3224TMX In stock | onsemi | 电源管理-栅极驱动器(Gate Driver) | SOIC-8 | 已通过 AEC-Q100 Grade 1 | -40 °C ~ +125 °C | channel: 2 · current: 4 A · voltage: 18 V | 规格书 ↗ | |
| CFG2211S Available to order | Chipflow | Gate Drivers | SOP8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 | |
| CFG2216M Available to order | Chipflow | Gate Drivers | MSOP10 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 | |
| CFG2241S Available to order | Chipflow | Gate Drivers | SOP8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 | |
| CFG2242D Available to order | Chipflow | Gate Drivers | DFN10-3x3 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 | |
| CFG2246S Available to order | Chipflow | Gate Drivers | SOP8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 |
功率器件
SiC MOSFET / IGBT
为什么需要该器件： PFC 的开关桥臂。轻载效率与满载热表现决定充电机体积。
关键参数如何选择： 单相取 650 V，大功率三相取 1200 V；SiC 提升效率与频率，IGBT 降低 BOM 成本。
驰顺可提供的品牌： InfineononsemiInventChipCREEMCC
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC026N02KSGAUMA1 In stock | Infineon | MOSFET(OptiMOS低压) | SC026 | 已通过 AEC-Q101 | -55 °C ~ +150 °C | channel: N · vds: 25 V · id: 100 A | 规格书 ↗ | |
| C3D08065I In stock | CREE | 碳化硅肖特基二极管（SiC） | TO-220-2 Isolated | 已通过 AEC-Q101 | -55 °C ~ +150 °C | vds: 650 V · id: 8 A · rds: — | 规格书 ↗ | |
| 2N7002-TP In stock | MCC | 小信号MOSFET | SOT-23 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 2N7002DW-TP In stock | MCC | 小信号MOSFET | SOT-363 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 2N7002E-7-F In stock | Diodes | 小信号MOSFET（N沟道） | SOT-23 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 2N7002K-TP In stock | MCC | 小信号MOSFET | SOT-23 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ |
关键选型参数
| 交流输入 | 单相 230 V / 三相 400 V |
| 输出功率 | 3.3 kW / 6.6 kW / 11 kW / 22 kW |
| 母线电压 | 400 V 或 800 V 平台 |
| 开关频率 | 按器件 40–150 kHz |
| 效率目标 | 峰值通常要求 ≥ 95% |
常见问题
PFC 级一定值得用 SiC 吗？
不一定。当效率目标、体积或高开关频率占主导时才划算；功率较低且目标宽松时，超结 MOSFET 桥可能更合适。
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