热管理
电动压缩机 · 关键器件选型
解决的工程问题
电动空调压缩机功率 1–5 kW，母线电压高、持续运行。逆变器要承受启动冲击电流，在狭小铝壳内控制开关损耗，并在热关断前主动上报故障。
系统框图
输入保护 TVS / 高压保护
主控 车规 MCU
驱动 栅极驱动芯片
功率器件 MOSFET / SiC MOSFET / IGBT
电机 无刷 / 永磁同步电机（负载）
支路
信号检测 电流检测放大器 / 采样电阻
模块列表（文字版）
- 输入保护 TVS / 高压保护
- 主控 车规 MCU
- 驱动 栅极驱动芯片
- 功率器件 MOSFET / SiC MOSFET / IGBT
- 电机 无刷 / 永磁同步电机（负载）
- 信号检测 电流检测放大器 / 采样电阻
输入保护
TVS / 高压保护
为什么需要该器件： 高压母线瞬态与预充冲击可能超过逆变器最大耐压。
关键参数如何选择： 截止电压按含能量回灌的最高母线电压选取，并核对脉冲能量。
驰顺可提供的品牌： WAYONLittelfuseonsemi
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1SMB30CAT3G In stock | onsemi | 二极管-TVS瞬态抑制(TVS) | SMB | 已通过 AEC-Q101 | -55 °C ~ +150 °C | vrwm: 30 V · ppp: 600 W · direction: Uni-directional | 规格书 ↗ | |
| 1.5KE24CA-TP | MCC | Transient Voltage Suppressor | — | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 1.5KE250A-TP In stock | MCC | TVS瞬态抑制二极管 | DO-201AE | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 1.5KE480A | WAYON | Transient Voltage Suppressor | — | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 1.5SMC33CA | LITTLEFUSE | Transient Voltage Suppressor | — | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 1.5SMC6.8CA In stock | Littelfuse | 二极管-TVS | SMC | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 |
主控
车规 MCU
为什么需要该器件： 执行磁场定向控制、带死区的 PWM，以及通过 CAN FD 上报过流与过温诊断。
关键参数如何选择： FOC 需要确定性 ADC 采样与足够算力，并确认主机厂预期的安全等级。
驰顺可提供的品牌： NXPInfineonTIMicrochip
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MKE04Z8VWJ4 In stock | NXP | MCU微控制器 | SOIC-20 | 已通过 AEC-Q100 Grade 1 | -40 °C ~ +125 °C | core: Arm Cortex-M0+ · freq: 48 MHz · flash: 8 KB | 规格书 ↗ | |
| ATMEGA32A-AU In stock | Microchip | MCU微控制器 | TQFP-44 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| ATSAM4S2AA-MU In stock | Microchip | MCU微控制器 | QFN-48 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| BS83A01C In stock | Holtek | MCU微控制器 | SOT-23-6 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| HT66F002/MSOP10 In stock | Holtek | MCU微控制器 | MSOP-10 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| MM32F0010A1N In stock | MindMotion | MCU微控制器(超值型) | QFN-20 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ |
信号检测
电流检测放大器 / 采样电阻
为什么需要该器件： 为 FOC 提供相电流反馈，并在微秒级内实现短路保护。
关键参数如何选择： 此处共模范围与响应时间比直流精度更关键。
驰顺可提供的品牌： TIonsemiADIRUNIC
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| INA199B2QDCKRQ1 In stock | TI | 放大器与线性 | SOT-SC70-6 | 已通过 AEC-Q100 Grade 1 | -40 °C ~ +125 °C | supply: 2.7 ~ 26 V · channel: 1 · bw: 105 kHz | 规格书 ↗ | |
| LM2901MX/NOPB In stock | TI | 放大器与线性 | SOIC-14 | 已通过 AEC-Q100 Grade 1 | -40 °C ~ +125 °C | channel: 4 · bw: 1.3 MHz · vos: ±2 mV | 规格书 ↗ | |
| ACE358MTR-E1 In stock | ACE | 运算放大器 | SOP-8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| AD822ARZ-REEL7 In stock | ADI | 运算放大器 | SOIC-8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| LM258DR2G In stock | onsemi | 放大器-运算放大器(Op-Amp) | SOIC-8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| LM2903XK In stock | Runic | 比较器 | SOT-23-5 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ |
驱动
栅极驱动芯片
为什么需要该器件： 为功率级提供高边驱动、短传播延迟与退饱和保护。
关键参数如何选择： 若用隔离驱动需核对 CMTI，同时确认通道间传播延迟匹配与故障清除行为。
驰顺可提供的品牌： onsemiInfineonSemimentNSIC
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FAN3224TMX In stock | onsemi | 电源管理-栅极驱动器(Gate Driver) | SOIC-8 | 已通过 AEC-Q100 Grade 1 | -40 °C ~ +125 °C | channel: 2 · current: 4 A · voltage: 18 V | 规格书 ↗ | |
| CFG2211S Available to order | Chipflow | Gate Drivers | SOP8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 | |
| CFG2216M Available to order | Chipflow | Gate Drivers | MSOP10 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 | |
| CFG2241S Available to order | Chipflow | Gate Drivers | SOP8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 | |
| CFG2242D Available to order | Chipflow | Gate Drivers | DFN10-3x3 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 | |
| CFG2246S Available to order | Chipflow | Gate Drivers | SOP8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 |
功率器件
MOSFET / SiC MOSFET / IGBT
为什么需要该器件： 逆变桥核心；效率与结温决定压缩机能否在满载下连续运行。
关键参数如何选择： 400 V 以上母线选 650 V 或 1200 V 器件；高频与效率优先选 SiC，成本与抗冲击优先选 IGBT。
驰顺可提供的品牌： InfineononsemiInventChipNCECREE
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC026N02KSGAUMA1 In stock | Infineon | MOSFET(OptiMOS低压) | SC026 | 已通过 AEC-Q101 | -55 °C ~ +150 °C | channel: N · vds: 25 V · id: 100 A | 规格书 ↗ | |
| C3D08065I In stock | CREE | 碳化硅肖特基二极管（SiC） | TO-220-2 Isolated | 已通过 AEC-Q101 | -55 °C ~ +150 °C | vds: 650 V · id: 8 A · rds: — | 规格书 ↗ | |
| 2N7002-TP In stock | MCC | 小信号MOSFET | SOT-23 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 2N7002DW-TP In stock | MCC | 小信号MOSFET | SOT-363 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 2N7002E-7-F In stock | Diodes | 小信号MOSFET（N沟道） | SOT-23 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 2N7002K-TP In stock | MCC | 小信号MOSFET | SOT-23 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ |
关键选型参数
| 母线电压 | 常见 300–450 V，或 48 V 轻混 |
| 输出功率 | 1–5 kW |
| 峰值相电流 | 启动与堵转电流 |
| 开关频率 | 10–20 kHz（IGBT）/ 40–100 kHz（SiC） |
| 认证要求 | 分立功率器件按 AEC-Q101 |
常见问题
压缩机用 SiC 还是 IGBT？
若壳体无法吸收损耗、或必须提高开关频率，SiC 的收益能覆盖成本；否则驱动良好的 IGBT 桥仍是性价比选择。
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