SKYSEMI · MOSFET
SS011N06NS
SKYSEMI SS011N06NS 是一款 PDFN5*6 封装的 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压为 60V，连续漏极电流为 240A，导通电阻低至 0.9mΩ（典型值）、1.1mΩ（最大值）。
待确认现货
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。
| 厂商 | SKYSEMI |
| 型号 | SS011N06NS |
| 品类 | MOSFET |
| 封装 | PDFN5*6 |
| 包装 | 卷带 |
| 成色 | 全新原装 |
| 合规 | 符合 RoHS |
| 生命周期 | 与原厂确认 |
| 交期 / 最小起订量 | 以报价为准 |
产品概述
SKYSEMI SS011N06NS 是一款 PDFN5*6 封装的 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压为 60V，连续漏极电流为 240A，导通电阻低至 0.9mΩ（典型值）、1.1mΩ（最大值）。适用于电池管理系统（BMS）、电源、电机控制及 DC-DC 转换应用。
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
库存与寻源
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。
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