CSD18501Q5A

厂商	TI
型号	CSD18501Q5A
品类	电源管理
封装	VSONP-8
包装	卷带
成色	全新原装
合规	符合 RoHS
生命周期	与原厂确认
交期 / 最小起订量	以报价为准

产品概述

CSD18501Q5A 是一款 40 V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET，采用 5 mm x 6 mm SON 封装，在 10 V 栅极驱动下最大 Rds(on) 为 3.2 mOhm（4.5 V 时为 4.3 mOhm）。它具有逻辑电平驱动、典型栅极阈值 1.8 V，并支持最高 161 A（硅限制）/ 100 A（封装限制）漏极电流。工作范围 -55°C 至 150°C，适用于同步降压与功率开关应用。

规格与文档

请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

库存与寻源

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。