电池管理系统 BMS
BMS · 关键器件选型
解决的工程问题
电芯电压与整包电流要在全温区内准确测量，掉电后安全保存，并通过隔离链路通信；故障路径要能直接断开接触器，而不是只依赖软件。
系统框图
输入保护 TVS / ESD 保护
主控 车规 MCU
功率器件 MOSFET（均衡 / 接触器驱动）
数据存储 EEPROM / 非易失存储
支路
信号检测 电流检测放大器 / 运放
模块列表（文字版）
- 输入保护 TVS / ESD 保护
- 主控 车规 MCU
- 功率器件 MOSFET（均衡 / 接触器驱动）
- 数据存储 EEPROM / 非易失存储
- 信号检测 电流检测放大器 / 运放
输入保护
TVS / ESD 保护
为什么需要该器件： 采样线束与通信线在装配与维修过程中暴露在外。
关键参数如何选择： 通信线用低电容阵列，包侧电源用具备足够脉冲能量的 TVS。
驰顺可提供的品牌： WAYONLittelfuseonsemiMCC
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1SMB30CAT3G In stock | onsemi | 二极管-TVS瞬态抑制(TVS) | SMB | 已通过 AEC-Q101 | -55 °C ~ +150 °C | vrwm: 30 V · ppp: 600 W · direction: Uni-directional | 规格书 ↗ | |
| 1.5KE24CA-TP | MCC | Transient Voltage Suppressor | — | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 1.5KE250A-TP In stock | MCC | TVS瞬态抑制二极管 | DO-201AE | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 1.5KE480A | WAYON | Transient Voltage Suppressor | — | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 1.5SMC33CA | LITTLEFUSE | Transient Voltage Suppressor | — | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 1.5SMC6.8CA In stock | Littelfuse | 二极管-TVS | SMC | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 待确认 |
主控
车规 MCU
为什么需要该器件： 执行 SOC 估算、均衡策略、诊断，并与整车通过 CAN FD 通信。
关键参数如何选择： 功能安全等级、ADC 精度与安全手册的有无，通常决定候选范围。
驰顺可提供的品牌： NXPInfineonTIMicrochip
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MKE04Z8VWJ4 In stock | NXP | MCU微控制器 | SOIC-20 | 已通过 AEC-Q100 Grade 1 | -40 °C ~ +125 °C | core: Arm Cortex-M0+ · freq: 48 MHz · flash: 8 KB | 规格书 ↗ | |
| ATMEGA32A-AU In stock | Microchip | MCU微控制器 | TQFP-44 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| ATSAM4S2AA-MU In stock | Microchip | MCU微控制器 | QFN-48 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| BS83A01C In stock | Holtek | MCU微控制器 | SOT-23-6 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| HT66F002/MSOP10 In stock | Holtek | MCU微控制器 | MSOP-10 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| MM32F0010A1N In stock | MindMotion | MCU微控制器(超值型) | QFN-20 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ |
信号检测
电流检测放大器 / 运放
为什么需要该器件： 整包电流是 SOC、SOH 与过流保护的基础。
关键参数如何选择： 小电流下 SOC 误差主要由失调温漂决定，应看温漂指标而非仅初始失调。
驰顺可提供的品牌： TIADIonsemiRUNIC
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| INA199B2QDCKRQ1 In stock | TI | 放大器与线性 | SOT-SC70-6 | 已通过 AEC-Q100 Grade 1 | -40 °C ~ +125 °C | supply: 2.7 ~ 26 V · channel: 1 · bw: 105 kHz | 规格书 ↗ | |
| LM2901MX/NOPB In stock | TI | 放大器与线性 | SOIC-14 | 已通过 AEC-Q100 Grade 1 | -40 °C ~ +125 °C | channel: 4 · bw: 1.3 MHz · vos: ±2 mV | 规格书 ↗ | |
| ACE358MTR-E1 In stock | ACE | 运算放大器 | SOP-8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| AD822ARZ-REEL7 In stock | ADI | 运算放大器 | SOIC-8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| LM258DR2G In stock | onsemi | 放大器-运算放大器(Op-Amp) | SOIC-8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| LM2903XK In stock | Runic | 比较器 | SOT-23-5 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ |
数据存储
EEPROM / 非易失存储
为什么需要该器件： SOC、SOH、故障日志与整包历史需在掉电后保留。
关键参数如何选择： 按额定温度核对擦写次数，并按温度曲线核对保持时间，而非 25 °C 数值。
驰顺可提供的品牌： MicrochipGigaDeviceGiantecADI
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AT24C64D-SSHM-T In stock | Microchip | 存储器(EEPROM/Flash) | SOIC-8 | 已通过 AEC-Q100 Grade 1 | -40 °C ~ +125 °C | density: 64 Kbit · iface: I²C · vcc: 1.7 ~ 5.5 V | 规格书 ↗ | |
| 24LC256-I/SM In stock | Microchip | 存储器(EEPROM/Flash) | DFN | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| AT24C02C-SSHM-T In stock | Microchip | 存储器(EEPROM/Flash) | SOT23 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| AT24CM01-SSHD-T In stock | Microchip | 存储器(EEPROM/Flash) | SOIC-8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| AT93C46DN-SH-T In stock | Microchip | 存储器(EEPROM/Flash) | SOIC-8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| DS1624S+ In stock | ADI | 数字温度传感器（含EEPROM） | SOIC-8 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ |
功率器件
MOSFET（均衡 / 接触器驱动）
为什么需要该器件： 被动均衡电阻与接触器线圈由低边 MOSFET 开关控制。
关键参数如何选择： 占空比低但要承受短路能量，应核对 SOA 与热阻，而不只看 RDS(on)。
驰顺可提供的品牌： onsemiNCEMCCInfineon
| 型号 | 品牌 | 类别 | 封装 | 车规认证 | 工作温度 | 关键参数 | 资料 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC026N02KSGAUMA1 In stock | Infineon | MOSFET(OptiMOS低压) | SC026 | 已通过 AEC-Q101 | -55 °C ~ +150 °C | channel: N · vds: 25 V · id: 100 A | 规格书 ↗ | |
| 2N7002-TP In stock | MCC | 小信号MOSFET | SOT-23 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 2N7002DW-TP In stock | MCC | 小信号MOSFET | SOT-363 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 2N7002E-7-F In stock | Diodes | 小信号MOSFET（N沟道） | SOT-23 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 2N7002K-TP In stock | MCC | 小信号MOSFET | SOT-23 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ | |
| 2N7002KDQ-TP In stock | MCC | 小信号MOSFET | SOT-23 | 认证信息待核验 | 待确认 | 待确认 | 规格书 ↗ |
关键选型参数
| 整包电压 | 48 V / 400 V / 800 V 平台 |
| 电芯串数 | 决定 AFE 通道数 |
| 电流范围 | 持续与峰值放电 / 回充 |
| 测量精度 | 常见电芯 ±1 mV、电流 ±0.5% |
| 功能安全 | 按 item 定义 ASIL-B 至 ASIL-D |
常见问题
你们供 AFE 采集芯片吗？
可以配合采购，货源因品牌与出口状态而异。提供串数与精度目标，我们会反馈实际可获得的型号。
MCU 有内置 Flash 还需要 EEPROM 吗？
通常需要。内置 Flash 擦写次数较低，写入时可能阻塞程序执行；外置 EEPROM 可把频繁记录与程序存储隔离。
相关推荐
项目询价
字段按应用自动生成，来源应用已记录在请求中，无需重复说明项目背景。